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水浸探測器怎樣更好地讀出電路?

欄目:行業(yè)動(dòng)態(tài) 作者:三水智能化 發(fā)布時(shí)間:2020-04-11 關(guān)鍵詞: 水浸探測器
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?在樓宇控制的設(shè)計(jì)中,水浸探測器是一種很重要的電氣設(shè)備。水浸探測器讀出電路主要結(jié)構(gòu)如圖所示,電路由三級(jí)組成,第一級(jí)像素級(jí),164陣列的量子點(diǎn)-量子阱光電探測器,通過行掃描開關(guān)連到第二級(jí)CTIA-CDS讀出級(jí)。

樓宇控制的設(shè)計(jì)中,水浸探測器是一種很重要的電氣設(shè)備。水浸探測器讀出電路主要結(jié)構(gòu)如圖所示,電路由三級(jí)組成,第一級(jí)像素級(jí),1×64陣列的量子點(diǎn)-量子阱光電探測器,通過行掃描開關(guān)連到第二級(jí)CTIA-CDS讀出級(jí)。第三級(jí)是緩沖輸出級(jí)。為了抑制水浸探測器讀出過程器件與采樣系統(tǒng)產(chǎn)生的熱噪聲、1/f噪聲、暗電流噪聲和背景噪聲電流,采樣保持電路采用相關(guān)雙采樣結(jié)構(gòu)。為了增加動(dòng)態(tài)范圍,積分電容有2,10和12pF三種,為了抑制量子點(diǎn)存儲(chǔ)對(duì)光探測的影響,采用周期性倒空技術(shù),在水浸探測器器件下電極端(VCOM)加周期性倒空信號(hào),在光讀出前進(jìn)行復(fù)位,減小量子點(diǎn)存儲(chǔ)電荷影響,增大水浸探測器微光探測靈敏度。

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